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IT之家報道，美光（Micron）于今年2月向英特爾（Intel）和AMD等客戶交付了1γ（gamma）DDR5樣品，成為內(nèi)存行業(yè)中首家實現(xiàn)這一突破的企業(yè)。

韓媒chosun的報道顯示，美光在交付的樣品中，僅使用一層極紫外光刻（EUV）設(shè)備，公司計劃通過減少EUV的使用，來加快高端DRAM的量產(chǎn)。

IT之家援引報道指出，美光改用成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）技術(shù)，放棄對EUV的依賴。

根據(jù)ASML的數(shù)據(jù)，下一代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)將使用193納米波長的氬氟激光，實現(xiàn)38納米特征尺寸的打??；而EUV光刻使用13.5納米波長的光，具有更高的精度，但成本更高。

美光表示，EUV技術(shù)目前尚未完全成熟，因此僅在必要時使用，這一策略短期內(nèi)可能提升量產(chǎn)速度，但長期來看，可能影響芯片的良率和性能。

相比之下，三星和SK海力士在DRAM技術(shù)發(fā)展中更依賴EUV技術(shù)。三星自2020年起開始在內(nèi)存生產(chǎn)中使用EUV，計劃在其第6代10納米DRAM（1c）中應(yīng)用超過5個EUV層。SK海力士也在2021年引入了EUV設(shè)備，并計劃在其下一代1c DRAM中采用類似策略。

盡管美光減少對EUV的依賴可能在短期內(nèi)節(jié)省成本，但長期可能面臨技術(shù)瓶頸。業(yè)內(nèi)人士指出，ArFi工藝的復(fù)雜性可能導(dǎo)致良率下降，而EUV層數(shù)超過三層后，技術(shù)難度將顯著增加。

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