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IT之家 3月11日?qǐng)?bào)道,美光(Micron)于今年2月向包括英特爾和AMD在內(nèi)的多家客戶交付了1γDDR5試晶,這是內(nèi)存行業(yè)中首個(gè)實(shí)現(xiàn)這一突破的公司。
韓國(guó)媒體Chosun報(bào)道,美光在其交付的試晶中,僅有一層采用了高端極紫外光刻(EUV)技術(shù)。據(jù)該公司介紹,他們計(jì)劃通過減少EUV設(shè)備的使用,以加速高端動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的量產(chǎn)。
據(jù)IT之家援引Chosun報(bào)道,美光已決定減少對(duì)高端極紫外光刻技術(shù)的依賴,轉(zhuǎn)而更多采用成熟成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)工藝。
ASML數(shù)據(jù)顯示,下一代深紫外光刻系統(tǒng)將采用193納米波長(zhǎng)的氬氟激光,能夠?qū)崿F(xiàn)38納米特征尺寸的打??;而EUV光刻則使用13.5納米波長(zhǎng)的光,具備更高的精度,但成本更高。
美光表示,EUV技術(shù)目前尚未完全成熟,因此僅在必要時(shí)才進(jìn)行使用。這種策略短期內(nèi)可能有助于提升量產(chǎn)速度,但長(zhǎng)期來看,可能會(huì)對(duì)芯片的良率和性能造成影響。
與美光不同的是,三星和SK海力士在高端DRAM技術(shù)發(fā)展中更依賴EUV技術(shù)。三星自2020年起,其內(nèi)存生產(chǎn)中引入了高端極紫外光刻技術(shù),計(jì)劃在其下一代6納米DRAM中應(yīng)用超過5層EUV。SK海力士則于2021年引入了EUV設(shè)備,并計(jì)劃在其下一代1納米DRAM中采取類似策略。
盡管美光減少對(duì)EUV的依賴可能在短期內(nèi)節(jié)省成本,但長(zhǎng)期來看可能會(huì)面臨技術(shù)瓶頸。業(yè)內(nèi)專家指出,ArFi工藝需要經(jīng)過更多工藝步驟,這可能會(huì)影響良率。隨著EUV層數(shù)的增加,尤其是超過三層后,技術(shù)難度將進(jìn)一步加大。
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