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技術(shù)革新與策略調(diào)整，美光推出1γ DDR5內(nèi)存：最少化EUV技術(shù)加速DRAM量產(chǎn)

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IT之家 3月11日報道，美光（Micron）于今年2月向包括英特爾和AMD在內(nèi)的多家客戶交付了1γDDR5試晶，這是內(nèi)存行業(yè)中首個實現(xiàn)這一突破的公司。

韓國媒體Chosun報道，美光在其交付的試晶中，僅有一層采用了高端極紫外光刻（EUV）技術(shù)。據(jù)該公司介紹，他們計劃通過減少EUV設(shè)備的使用，以加速高端動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的量產(chǎn)。

據(jù)IT之家援引Chosun報道，美光已決定減少對高端極紫外光刻技術(shù)的依賴，轉(zhuǎn)而更多采用成熟成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）工藝。

ASML數(shù)據(jù)顯示，下一代深紫外光刻系統(tǒng)將采用193納米波長的氬氟激光，能夠?qū)崿F(xiàn)38納米特征尺寸的打??；而EUV光刻則使用13.5納米波長的光，具備更高的精度，但成本更高。

美光表示，EUV技術(shù)目前尚未完全成熟，因此僅在必要時才進行使用。這種策略短期內(nèi)可能有助于提升量產(chǎn)速度，但長期來看，可能會對芯片的良率和性能造成影響。

與美光不同的是，三星和SK海力士在高端DRAM技術(shù)發(fā)展中更依賴EUV技術(shù)。三星自2020年起，其內(nèi)存生產(chǎn)中引入了高端極紫外光刻技術(shù)，計劃在其下一代6納米DRAM中應(yīng)用超過5層EUV。SK海力士則于2021年引入了EUV設(shè)備，并計劃在其下一代1納米DRAM中采取類似策略。

盡管美光減少對EUV的依賴可能在短期內(nèi)節(jié)省成本，但長期來看可能會面臨技術(shù)瓶頸。業(yè)內(nèi)專家指出，ArFi工藝需要經(jīng)過更多工藝步驟，這可能會影響良率。隨著EUV層數(shù)的增加，尤其是超過三層后，技術(shù)難度將進一步加大。

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